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TK11A45D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK11A45D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK11A45DSTA4QM
Price: 2.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK11A45DSTA4QM

Fabr. N.º:

TK11A45D(STA4,Q,M)

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

Hoja de datos:

TK11A45D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	450 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	500 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	25 ns
Serie:	TK11A45D
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	75 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	60 ns
Peso unitario:	2 g

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Product Catalogs

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.