TK100A08N1,S4X
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Fabr.:
Descripción:
MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de producción de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Precio (EUR)
| Cant. | Precio unitario |
Precio total
|
|---|---|---|
| 4,71 € | 4,71 € | |
| 3,25 € | 32,50 € | |
| 2,16 € | 216,00 € | |
| 1,87 € | 935,00 € |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
España
