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TK099U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK099U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK099U60Z1RQ
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-TK099U60Z1RQ

Fabr. N.º:

TK099U60Z1,RQ

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

TK099U60Z1,RQ Hoja de datos (PDF)

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	3,78 €	3,78 €
	2,51 €	25,10 €
	1,77 €	177,00 €
	1,63 €	815,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	1,39 €	2.780,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	25 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	99 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	36 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	176 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	82 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	43 ns

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Hoja de datos

TK099U60Z1,RQ Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.