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SSM6K781G,LF

Name: Toshiba SSM6K781G,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K781GLF
Price: 0.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-SSM6K781GLF

Fabr. N.º:

SSM6K781G,LF

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

MOSFET WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

Hoja de datos:

SSM6K781G,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,705 €	0,71 €
	0,436 €	4,36 €
	0,281 €	28,10 €
	0,214 €	107,00 €
	0,193 €	193,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,154 €	462,00 €
	0,147 €	882,00 €
	0,136 €	1.224,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WCSP6C-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	14.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	5.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6K
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	1,400 mg

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Hoja de datos

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Application Notes

Models

PCN

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.