GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

Fabr.:

Descripción:
IGBT 600V/30A DIS

Modelo ECAD:
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En existencias: 82

Existencias:
82 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,65 € 3,65 €
2,41 € 24,10 €
1,69 € 169,00 €
1,39 € 695,00 €
1,37 € 1.370,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
Marca: Toshiba
Corriente continua del colector Ic Máx.: 30 A
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 6,756 g
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99