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CUHS10F60,H3F

Name: Toshiba CUHS10F60,H3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-CUHS10F60H3F
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

757-CUHS10F60H3F

Fabr. N.º:

CUHS10F60,H3F

Fabr.:

Toshiba

Descripción:

Diodos y rectificadores Schottky Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

Hoja de datos:

CUHS10F60,H3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 36.000

Fecha prevista: 08/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 15

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,31 €	0,31 €
	0,192 €	1,92 €
	0,121 €	12,10 €
	0,09 €	45,00 €
	0,079 €	79,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,059 €	177,00 €
	0,054 €	324,00 €
	0,049 €	441,00 €
	0,048 €	1.152,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Diodos y rectificadores Schottky
RoHS:
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso unitario:	5,400 mg

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Hoja de datos

CUHS10F60,H3F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Tailandia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.