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UCC27210D

Name: Texas Instruments UCC27210D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210D
Price: 3.56 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-UCC27210D

Fabr. N.º:

UCC27210D

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27210DR

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,56 €	3,56 €
	2,70 €	27,00 €
	2,29 €	57,25 €
	2,28 €	171,00 €
	2,24 €	672,00 €
	2,23 €	1.170,75 €
	2,15 €	2.257,50 €
	2,12 €	6.360,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	4 A
Tensión del suministro - Mín:	8 V
Tensión del suministro - Máx:	17 V
Tiempo de establecimiento:	7.2 ns
Tiempo de caída:	5.5 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 140 C
Serie:	UCC27210
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	75
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso unitario:	76 mg

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Power Management Guide 2018 (Rev. R)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.