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TPS28226DRBR

Name: Texas Instruments TPS28226DRBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DRBR
Price: 0.66 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-TPS28226DRBR

Fabr. N.º:

TPS28226DRBR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226DRBT

Hoja de datos:

TPS28226DRBR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SON-8
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	6 A
Tensión del suministro - Mín:	4 V
Tensión del suministro - Máx:	8.8 V
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	TPS28226
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Características:	Synchronous Rectification
Tiempo de retraso de apagado máximo:	14 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Pd (disipación de potencia):	2.58 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso unitario:	24 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.