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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 12.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-LMG5200MOFR

Fabr. N.º:

LMG5200MOFR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Hoja de datos:

LMG5200MOFR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	12,62 €	12,62 €
	9,59 €	95,90 €
	9,19 €	229,75 €
	8,10 €	810,00 €
	7,71 €	1.927,50 €
	7,52 €	3.760,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	6,40 €	12.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFM-9
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	10 A
Tensión del suministro - Mín:	4.75 V
Tensión del suministro - Máx:	5.25 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	3 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	15 Ohms
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	GaN
Peso unitario:	2,338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200

La etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200 de Texas Instruments proporciona una solución de etapa de potencia integrada con FET de nitruro de galio (GaN) mejorados. El dispositivo consta de dos FET de GaN y 80 V accionados por un accionador de FET de GaN de alta frecuencia en una configuración de medio puente. Los FET de GaN ofrecen ventajas importantes para la conversión de potencia, ya que tienen una recuperación inversa cercana a cero y un C_ISS de capacitancia de entrada muy reducido. Todos los dispositivos están montados en una plataforma con paquete sin cables de unión, con una cantidad mínima de elementos parásitos en el paquete. Las entradas compatibles con la lógica TTL pueden soportar tensiones de entrada de hasta 12 V, independientemente de la tensión de V_CC. La técnica patentada de fijación de tensión tipo «bootstrap» garantiza que las tensiones de compuerta de los FET de GaN mejorados estén dentro de un intervalo de funcionamiento seguro.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.