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LMG3526R030RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R030RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R030RQST
Price: 27.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-LMG3526R030RQST

Fabr. N.º:

LMG3526R030RQST

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R030RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	27,25 €	27,25 €
	23,97 €	239,70 €
	22,71 €	567,75 €
	21,09 €	2.109,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	19,92 €	4.980,00 €
	19,75 €	9.875,00 €
1.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tiempo de establecimiento:	2.8 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R030
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.