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LMG3526R030RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R030RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R030RQST
Price: 27.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-LMG3526R030RQST

Fabr. N.º:

LMG3526R030RQST

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R030RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	27,25 €	27,25 €
	24,91 €	249,10 €
	23,80 €	595,00 €
	21,29 €	2.129,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	20,02 €	5.005,00 €
	19,68 €	9.840,00 €
1.000	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tiempo de establecimiento:	2.8 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R030
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.