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LMG3411R070RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHT
Price: 17.42 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-LMG3411R070RWHT

Fabr. N.º:

LMG3411R070RWHT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

Hoja de datos:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	17,42 €	17,42 €
	13,90 €	139,00 €
	13,02 €	325,50 €
	12,06 €	1.206,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	11,56 €	2.890,00 €
	11,19 €	5.595,00 €
	11,09 €	11.090,00 €
2.500	Cotización

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-32
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	12 A
Tensión del suministro - Mín:	9.5 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	2.9 ns
Tiempo de caída:	26 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R070
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Tiempo de retraso de apagado máximo:	10 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	12 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	43 mA
Voltaje de salida:	5 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	36 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	70 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	GaN
Peso unitario:	188,200 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Application Notes

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Etapa de potencia GaN de 600 V y 70 mΩ LMG3410R070

La etapa de potencia GaN de 600 V y 70 mΩ LMG3410R070GaN de Texas Instruments, con controlador y protección integrados, ofrece una serie de ventajas en comparación con los MOSFET de silicio. Entre esas ventajas se incluye una capacitancia de entrada y salida muy baja. Entre sus características se incluyen la recuperación de inversión de cero, que reduce las pérdidas de conmutación hasta en un 80 %, y un conjunto de nodos de conmutación baja para reducir las EMI.