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LMG1205YFXR

Name: Texas Instruments LMG1205YFXR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG1205YFXR
Price: 3.1 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-LMG1205YFXR

Fabr. N.º:

LMG1205YFXR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXT

Hoja de datos:

LMG1205YFXR Hoja de datos

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Pedido:: 9.445

Fecha prevista: 13/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,10 €	3,10 €
	2,34 €	23,40 €
	2,14 €	53,50 €
	1,94 €	194,00 €
	1,83 €	457,50 €
	1,81 €	905,00 €
	1,76 €	1.760,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,65 €	4.950,00 €
	1,64 €	9.840,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

LMG1205YFXT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

3,65 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

LMG1205YFXT

Descripción:

Controlador de puerta 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXR

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSBGA-12
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	5 A
Tensión del suministro - Mín:	4.5 V
Tensión del suministro - Máx:	5.5 V
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Tiempo de caída:	3.5 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG1205
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Tiempo de retraso de apagado máximo:	50 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	50 ns
Corriente de suministro operativa:	2 mA
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	GaN
Peso unitario:	3,400 mg

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LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Estados Unidos

El país puede cambiar en el momento del envío.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.

LMG1205 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LMG1205 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck, boost, or half-bridge configuration. The device has an integrated 100V bootstrap diode and independent inputs for the high-side and low-side outputs for maximum control flexibility. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5V. This feature prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LMG1205 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LMG1205 has split-gate outputs which provide flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently.

Controlador de GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1

El controlador de GaN de medio puente LMG1025/LMG1025-Q1 de Texas Instruments está diseñado para controlar los FET de nitruro de galio (GaN) en modo de mejora de lado bajo y lado alto en una configuración de tipo buck síncrono, amplificación o medio puente. El dispositivo cuenta con un diodo bootstrap de 100 V integrado y entradas independientes para salidas de lado alto y bajo para una flexibilidad de control máxima. La tensión de polarización del lado alto se genera utilizando una técnica de bootstrap. Está fijado internamente a 5 V, lo que evita que la tensión de compuerta supere la tensión nominal máxima de compuerta-fuente de los FET de GaN con modo de mejora. Las entradas del LMG1205/LMG1025-Q1 son compatibles con la lógica TTL y pueden soportar tensiones de entrada de hasta 14 V independientemente de la tensión VDD. El LMG1205/LMG1205-Q1 tiene salidas de puerta dividida, lo que proporciona flexibilidad para ajustar la fuerza de activación y desactivación de forma independiente.