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F280034SPN

Name: Texas Instruments F280034SPN
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-F280034SPN
Price: 5.89 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-F280034SPN

Fabr. N.º:

F280034SPN

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Microcontroladores (MCU) de 32 bits C2000 32-bit MCU 12 0-MHz 128-KB flash

Hoja de datos:

F280034SPN Hoja de datos

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5.117	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Microcontroladores (MCU) de 32 bits
RoHS:
Serie:	TMS320F280034
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LQFP-80
Núcleo:	C28x
Tamaño de memoria del programa:	384 kB
Tamaño de datos RAM:	69 kB
Anchura de bus de datos:	32 bit
Resolución de ADC:	12 bit
Frecuencia máxima de reloj:	120 MHz
Número de I/Os:	26 I/O
Tensión del suministro - Mín:	1.14 V
Tensión del suministro - Máx:	1.32 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tray
Tensión del suministro analógica:	2.8 V to 3.63 V
Marca:	Texas Instruments
Resolución de DAC :	12 bit
Tipo de datos Ram:	SRAM
Kit de desarrollo:	TMDSCNCD280039C
Voltaje I/O:	3.3 V
Tipo de interfaz:	CAN, I2C, SPI, UART
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales de ADC :	3 Channel
Número de temporizadores/contadores:	3 Timer
Voltaje operativo de suministro:	1.14 V to 1.32 V
Serie del procesador:	C28x DSP
Producto:	MCUs
Tipo de producto:	32-bit Microcontrollers - MCU
Tipo de memoria de programa:	Flash
Cantidad del paquete de fábrica:	119
Subcategoría:	Microcontrollers - MCU
Nombre comercial:	C2000
Temporizadores de control:	Watchdog Timer

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TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310025
ECCN:: 5A992.C

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MCU en tiempo real TMS320F28003x/TMS320F28003x-Q1

Los microcontroladores en tiempo real TMS320F28003x/TMS320F28003x-Q1 de Texas Instruments forman parte de los microcontroladores en tiempo real C2000 ™. Los microcontroladores C2000 son dispositivos de latencia ultrabaja escalables diseñados para ofrecer eficiencia en dispositivos electrónicos, incluyendo una alta densidad de potencia y frecuencias de conmutación altas y compatibles con el uso de tecnologías GaN y SiC.