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DRV8300UDIPWR

Name: Texas Instruments DRV8300UDIPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300UDIPWR
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-DRV8300UDIPWR

Fabr. N.º:

DRV8300UDIPWR

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición 100-V max simple th ree-phase gate drive

Hoja de datos:

DRV8300UDIPWR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,50 €	1,50 €
	0,955 €	9,55 €
	0,854 €	21,35 €
	0,703 €	70,30 €
	0,612 €	153,00 €
	0,581 €	290,50 €
	0,488 €	488,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,445 €	1.335,00 €
	0,407 €	2.442,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores y unidades para motores / movimiento / ignición
RoHS:
Producto:	Brushless DC Motor Controllers
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSSOP-20
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	1 Output
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	DRV8300U
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300U Three-Phase Gate Driver

Texas Instruments DRV8300U Three-Phase Gate Driver is 100V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.