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DRV8300DRGER

Name: Texas Instruments DRV8300DRGER
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300DRGER
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-DRV8300DRGER

Fabr. N.º:

DRV8300DRGER

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

Controlador de puerta 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Hoja de datos:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,697 €	0,70 €
	0,495 €	4,95 €
	0,445 €	11,13 €
	0,399 €	39,90 €
	0,372 €	93,00 €
	0,356 €	178,00 €
	0,343 €	343,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,327 €	981,00 €
	0,319 €	1.914,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VQFN-24
Número de controladores:	3 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	750 mA
Tensión del suministro - Mín:	5 V
Tensión del suministro - Máx:	20 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Tiempo de caída:	12 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	DRV8300
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Kit de desarrollo:	DRV8300DIPW-EVM
Tipo lógico:	CMOS
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	180 ns
Apagado:	No Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.