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CSD88584Q5DCT

Name: Texas Instruments CSD88584Q5DCT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88584Q5DCT
Price: 5.16 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-CSD88584Q5DCT

Fabr. N.º:

CSD88584Q5DCT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DC

Hoja de datos:

CSD88584Q5DCT Hoja de datos

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Pedido:: 423

Fecha prevista: 13/04/2026

1.000

500

Fecha prevista: 20/04/2026

500

Fecha prevista: 21/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,16 €	5,16 €
	3,46 €	34,60 €
	2,30 €	230,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	2,30 €	575,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-22
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	680 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	137 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	12 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia delantera: mín.:	149 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	CSD88584Q5DC
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	53 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Peso unitario:	100,600 mg

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SPICE Models

CSD88584Q5DC PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block

Texas Instruments CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block is an optimized design for high-current motor control applications. These applications include handheld, cordless garden, and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology to minimize parasitic inductances while offering a complete half-bridge. The device also comes in a space-saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for a simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB. This design allows for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.