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CSD88539ND

Name: Texas Instruments CSD88539ND
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88539ND
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD88539ND

Fabr. N.º:

CSD88539ND

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,39 €	1,39 €
	0,886 €	8,86 €
	0,585 €	58,50 €
	0,459 €	229,50 €
	0,419 €	419,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,374 €	935,00 €
	0,351 €	1.755,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD88539NDT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,57 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD88539NDT

Descripción:

MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	7.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	CSD88539ND
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	14 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Peso unitario:	74 mg

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CSD88539ND TINA-TI Reference Design

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

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