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CSD87313DMS

Name: Texas Instruments CSD87313DMS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMS
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-CSD87313DMS

Fabr. N.º:

CSD87313DMS

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Hoja de datos:

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 26/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 6

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,90 €	1,90 €
	1,21 €	12,10 €
	0,839 €	83,90 €
	0,635 €	317,50 €
	0,594 €	594,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,525 €	1.312,50 €
	0,515 €	2.575,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD87313DMST

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,50 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD87313DMST

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	600 mV
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	13 ns, 13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	149 S, 149 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	41 ns, 41 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9 ns, 9 ns
Peso unitario:	5,500 mg

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TARIC:: 8541290000
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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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