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CSD83325LT

Name: Texas Instruments CSD83325LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325LT
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD83325LT

Fabr. N.º:

CSD83325LT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,67 €	1,67 €
	1,06 €	10,60 €
	0,707 €	70,70 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,707 €	176,75 €
	0,58 €	290,00 €
	0,507 €	507,00 €
	0,466 €	1.165,00 €
	0,423 €	2.115,00 €
	0,42 €	4.200,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD83325L

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,40 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD83325L

Descripción:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	BGA-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	8.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	589 ns
Transconductancia delantera: mín.:	36 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	353 ns
Serie:	CSD83325L
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	711 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	205 ns
Peso unitario:	1,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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