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CSD25501F3T

Name: Texas Instruments CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3T
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25501F3T

Fabr. N.º:

CSD25501F3T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET #NAME?

Hoja de datos:

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Pedido:: 750

Fecha prevista: 20/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 6

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,20 €	1,20 €
	0,558 €	5,58 €
	0,414 €	41,40 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,414 €	103,50 €
	0,329 €	164,50 €
	0,304 €	304,00 €
	0,29 €	725,00 €
	0,287 €	1.435,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25501F3

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,33 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	260 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.05 V
Qg (carga de compuertas):	1.02 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	945 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	428 ns
Serie:	CSD25501F3
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	1154 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	474 ns
Peso unitario:	0,300 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CSD25501F3T Hoja de datos

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.