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CSD25484F4

Name: Texas Instruments CSD25484F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25484F4
Price: 0.37 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25484F4

Fabr. N.º:

CSD25484F4

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

Hoja de datos:

CSD25484F4 Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,37 €	0,37 €
	0,222 €	2,22 €
	0,143 €	14,30 €
	0,114 €	57,00 €
	0,101 €	101,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,085 €	255,00 €
	0,077 €	462,00 €
	0,065 €	585,00 €
	0,063 €	1.512,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25484F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,63 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD25484F4T

Descripción:

MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	825 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	1.09 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CSD25484F4
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.5 ns
Peso unitario:	0,400 mg

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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