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CSD25481F4T

Name: Texas Instruments CSD25481F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4T
Price: 0.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25481F4T

Fabr. N.º:

CSD25481F4T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

Hoja de datos:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,989 €	0,99 €
	0,667 €	6,67 €
	0,358 €	35,80 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,358 €	89,50 €
	0,317 €	158,50 €
	0,302 €	302,00 €
	0,295 €	737,50 €
	0,287 €	1.435,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25481F4

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,36 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD25481F4

Descripción:

MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	800 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	913 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FemtoFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.6 ns
Serie:	CSD25481F4
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.1 ns
Peso unitario:	0,400 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Function Diagram

PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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