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CSD25481F4T

Name: Texas Instruments CSD25481F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4T
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25481F4T

Fabr. N.º:

CSD25481F4T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

Hoja de datos:

CSD25481F4T Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,29 €	1,29 €
	0,814 €	8,14 €
	0,463 €	46,30 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,463 €	115,75 €
	0,398 €	199,00 €
	0,357 €	357,00 €
	0,342 €	855,00 €
	0,336 €	1.680,00 €
	0,333 €	3.330,00 €
	0,316 €	7.900,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25481F4

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,36 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD25481F4

Descripción:

MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	800 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	913 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FemtoFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.6 ns
Serie:	CSD25481F4
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.1 ns
Peso unitario:	0,400 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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