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CSD25304W1015T

Name: Texas Instruments CSD25304W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015T
Price: 1.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD25304W1015T

Fabr. N.º:

CSD25304W1015T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

Hoja de datos:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,45 €	1,45 €
	0,929 €	9,29 €
	0,538 €	53,80 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,538 €	134,50 €
	0,454 €	227,00 €
	0,409 €	409,00 €
	0,393 €	982,50 €
	0,373 €	1.865,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD25304W1015

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,67 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD25304W1015

Descripción:

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSBGA-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	92 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	3.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	CSD25304W1015
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns
Peso unitario:	1,700 mg

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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.