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CSD22205L

Name: Texas Instruments CSD22205L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22205L
Price: 0.76 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD22205L

Fabr. N.º:

CSD22205L

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,765 €	0,77 €
	0,478 €	4,78 €
	0,31 €	31,00 €
	0,237 €	118,50 €
	0,214 €	214,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,183 €	549,00 €
	0,169 €	1.014,00 €
	0,154 €	1.386,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD22205LT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,63 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD22205LT

Descripción:

MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-4
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	8 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	40 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 6 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.05 V
Qg (carga de compuertas):	8.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	800 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	CSD22205L
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	70 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	1 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

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