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CSD19538Q3AT

Name: Texas Instruments CSD19538Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q3AT
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD19538Q3AT

Fabr. N.º:

CSD19538Q3AT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

Hoja de datos:

CSD19538Q3AT Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,46 €	1,46 €
	1,01 €	10,10 €
	0,62 €	62,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,62 €	155,00 €
	0,525 €	262,50 €
	0,472 €	472,00 €
	0,464 €	1.160,00 €
	0,445 €	2.225,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD19538Q3A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,85 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD19538Q3A

Descripción:

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	61 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.2 V
Qg (carga de compuertas):	4.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	2.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	CSD19538Q3A
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Peso unitario:	27,300 mg

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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