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CSD19501KCS

Name: Texas Instruments CSD19501KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19501KCS
Price: 2.43 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD19501KCS

Fabr. N.º:

CSD19501KCS

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	38 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	217 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	137 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	CSD19501KCS
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	2 g

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CSD19501KCS PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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