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CSD18536KCS

Name: Texas Instruments CSD18536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18536KCS
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD18536KCS

Fabr. N.º:

CSD18536KCS

Fabr.:

Texas Instruments

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Pedido:: 1.200

Fecha prevista: 27/04/2026

2.050

Fecha prevista: 18/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 6

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Tarifa estimada:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	349 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	108 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	312 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CSD18536KCS
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Peso unitario:	2 g