CSD18536KCS

Texas Instruments
595-CSD18536KCS
CSD18536KCS

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 787

Existencias:
787
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
2.050
Fecha prevista: 12/06/2026
3.300
Fecha prevista: 22/06/2026
Plazo de producción de fábrica:
6
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 450
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,04 € 5,04 €
3,02 € 30,20 €
2,28 € 228,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
349 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia delantera: mín.: 312 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5 ns
Serie: CSD18536KCS
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 11 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
China
El país puede cambiar en el momento del envío.