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CSD18532NQ5BT

Name: Texas Instruments CSD18532NQ5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18532NQ5BT
Price: 3.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD18532NQ5BT

Fabr. N.º:

CSD18532NQ5BT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

Hoja de datos:

CSD18532NQ5BT Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,31 €	3,31 €
	2,17 €	21,70 €
	1,37 €	137,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	1,37 €	342,50 €
	1,20 €	600,00 €
	1,19 €	1.190,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD18532NQ5B

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,67 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD18532NQ5B

Descripción:

MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	49 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	156 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	140 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.7 ns
Serie:	CSD18532NQ5B
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.2 ns
Peso unitario:	134 mg

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Hoja de datos

CSD18532NQ5BT Hoja de datos

PCN

SPICE Models

CSD18532NQ5B PSpice Model (Rev. B)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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