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CSD18512Q5BT

Name: Texas Instruments CSD18512Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18512Q5BT
Price: 2.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD18512Q5BT

Fabr. N.º:

CSD18512Q5BT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

Hoja de datos:

CSD18512Q5BT Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,62 €	2,62 €
	1,70 €	17,00 €
	1,06 €	106,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	1,06 €	265,00 €
	0,92 €	460,00 €
	0,869 €	869,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD18512Q5B

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

2,05 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD18512Q5B

Descripción:

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.3 V
Qg (carga de compuertas):	98 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia delantera: mín.:	136 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Serie:	CSD18512Q5B
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	31 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Peso unitario:	115,700 mg