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CSD18510KCS

Name: Texas Instruments CSD18510KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18510KCS
Price: 2.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD18510KCS

Fabr. N.º:

CSD18510KCS

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Hoja de datos:

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	0,789 €	789,00 €
	0,751 €	1.877,50 €
	0,727 €	3.635,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	153 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	330 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	CSD18510KCS
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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