CSD18501Q5A

Texas Instruments
595-CSD18501Q5A
CSD18501Q5A

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.212

Existencias:
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Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
2.500
Fecha prevista: 14/05/2026
Plazo de producción de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,39 € 2,39 €
1,58 € 15,80 €
1,14 € 114,00 €
0,972 € 486,00 €
0,929 € 929,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,903 € 2.257,50 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
40 V
161 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: CN
Kit de desarrollo: EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
Tiempo de caída: 3.4 ns
Transconductancia delantera: mín.: 118 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 10 ns
Serie: CSD18501Q5A
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 4.7 ns
Peso unitario: 87,800 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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