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CSD17581Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3AT
Price: 1.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17581Q3AT

Fabr. N.º:

CSD17581Q3AT

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

Hoja de datos:

CSD17581Q3AT Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,57 €	1,57 €
	0,998 €	9,98 €
	0,577 €	57,70 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,577 €	144,25 €
	0,495 €	247,50 €
	0,446 €	446,00 €
	0,429 €	1.072,50 €
	0,427 €	2.135,00 €
	0,412 €	4.120,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD17581Q3A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,94 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17581Q3A

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	54 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	78 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	23 ns
Serie:	CSD17581Q3A
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	27,700 mg