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CSD17579Q3A

Name: Texas Instruments CSD17579Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q3A
Price: 0.8 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

595-CSD17579Q3A

Fabr. N.º:

CSD17579Q3A

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

Hoja de datos:

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Pedido:: 5.000

Fecha prevista: 13/07/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,80 €	0,80 €
	0,498 €	4,98 €
	0,323 €	32,30 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,323 €	807,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD17579Q3AT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,71 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17579Q3AT

Descripción:

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	39 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	29 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
Tiempo de caída:	1 ns
Transconductancia delantera: mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	CSD17579Q3A
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2 ns
Peso unitario:	27,300 mg

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Hoja de datos

CSD17579Q3A Hoja de datos

Models

CSD17579Q3A Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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