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CSD17527Q5A

Name: Texas Instruments CSD17527Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17527Q5A
Price: 1.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17527Q5A

Fabr. N.º:

CSD17527Q5A

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

Hoja de datos:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,11 €	1,11 €
	0,739 €	7,39 €
	0,549 €	54,90 €
	0,462 €	231,00 €
	0,416 €	416,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,378 €	945,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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CSD17579Q5A

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MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSONP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	100 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	2.8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	44 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.2 ns
Serie:	CSD17527Q5A
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	9.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.6 ns
Peso unitario:	83,700 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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