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CSD17308Q3

Name: Texas Instruments CSD17308Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17308Q3
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17308Q3

Fabr. N.º:

CSD17308Q3

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,15 €	1,15 €
	0,727 €	7,27 €
	0,482 €	48,20 €
	0,376 €	188,00 €
	0,341 €	341,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,311 €	777,50 €
	0,276 €	1.380,00 €
	0,27 €	2.700,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD17308Q3T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,46 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17308Q3T

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	50 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	900 mV
Qg (carga de compuertas):	3.9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	28 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	BQ500211AEVM-210
Tiempo de caída:	2.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.7 ns
Serie:	CSD17308Q3
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	9.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.5 ns
Peso unitario:	41 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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