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CSD16327Q3T

Name: Texas Instruments CSD16327Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16327Q3T
Price: 1.33 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD16327Q3T

Fabr. N.º:

CSD16327Q3T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

Hoja de datos:

CSD16327Q3T Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,33 €	1,33 €
	1,03 €	10,30 €
	0,608 €	60,80 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,608 €	152,00 €
	0,519 €	259,50 €
	0,491 €	491,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD16327Q3

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,43 €

Min:

Producto similar

Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD16327Q3

Descripción:

MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.4 V
Qg (carga de compuertas):	8.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	96 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Serie:	CSD16327Q3
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.3 ns
Peso unitario:	44,500 mg

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Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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