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CSD16325Q5

Name: Texas Instruments CSD16325Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16325Q5
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD16325Q5

Fabr. N.º:

CSD16325Q5

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Hoja de datos:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,34 €	2,34 €
	1,51 €	15,10 €
	1,05 €	105,00 €
	0,848 €	424,00 €
	0,782 €	782,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,782 €	1.955,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	VSON-CLIP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	18 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	159 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Serie:	CSD16325Q5
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10.5 ns
Peso unitario:	118 mg

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TARIC:: 8542399000
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ECCN:: EAR99

MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments

Los MOSFET de alimentación NexFET™ de Texas Instruments ofrecen la mitad de carga de compuerta para la misma resistencia, de forma que los diseñadores pueden obtener una eficiencia de alimentación del 90% con el doble de frecuencia. Los MOSFET de alimentación NexFET de TI combinan un flujo de corriente vertical con un MOSFET de alimentación lateral. Estos dispositivos ofrecen una resistencia de activación baja y requieren una carga de compuerta extremadamente baja con perfiles de paquete habituales en el sector. Esta combinación no era posible anteriormente con las plataformas de silicio existentes. La tecnología del MOSFET de alimentación NexFET de TI mejora la eficacia energética para sistemas informáticos de altas prestaciones, redes, sistemas de redes y fuentes de alimentación.
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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFET: CSD16325Q5

The Texas Instruments CSD16325Q5 N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications. The TI CSD16325Q5 NexFET MOSFET is optimized for 5V gate drive applications and boasts ultralow Gate Charge Total and Gate Charge Gate to Drain and low thermal resistance. The TI CSD16325Q5 NexFET Power MOSFET is avalanche rated and optimized for Synchronous FET applications and Point-of-Load Synchronous Buck in networking, telecom, and computing systems.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.