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CSD13380F3

Name: Texas Instruments CSD13380F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13380F3
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD13380F3

Fabr. N.º:

CSD13380F3

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T

Hoja de datos:

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Pedido:: 18.000

Fecha prevista: 10/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 12

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,178 €	1,78 €
	0,112 €	11,20 €
	0,083 €	41,50 €
	0,071 €	71,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,061 €	183,00 €
	0,053 €	318,00 €
	0,046 €	414,00 €
	0,044 €	1.056,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD13380F3T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,23 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD13380F3T

Descripción:

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	12 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	76 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	550 mV
Qg (carga de compuertas):	1.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.4 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	CSD13380F3
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4 ns
Peso unitario:	0,300 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
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