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TSM650P03CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM650P03CXRFG
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

821-TSM650P03CXRFG

Fabr. N.º:

TSM650P03CX RFG

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

MOSFET -30V, -4.1A, Single P-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM650P03CX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,542 €	0,54 €
	0,332 €	3,32 €
	0,212 €	21,20 €
	0,16 €	80,00 €
	0,144 €	144,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,121 €	363,00 €
	0,11 €	660,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,093 €	2.232,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.1 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	55 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	8 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.56 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	19.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	45.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.4 ns
Alias de parte #:	TSM650P03CX
Peso unitario:	8 mg