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TSM60NE160CE RVG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NE160CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NE160CERVG
Price: 1.66 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

821-TSM60NE160CERVG

Fabr. N.º:

TSM60NE160CE RVG

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

MOSFET 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PDFN-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	21 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	160 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	6 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	173 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	70 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	47 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns
Peso unitario:	200 mg

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Hoja de datos

TSM60NE160CE RVG Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.