TSM2N7002AKDCU6 RFG

Taiwan Semiconductor
821-TSM2N7002KDCU6
TSM2N7002AKDCU6 RFG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 3.904

Existencias:
3.904 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,327 € 0,33 €
0,20 € 2,00 €
0,126 € 12,60 €
0,094 € 47,00 €
0,083 € 83,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,069 € 207,00 €
0,062 € 372,00 €
0,052 € 468,00 €
0,05 € 1.200,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
220 mA
2.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
91 nC
- 55 C
+ 150 C
240 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 50 ns
Transconductancia delantera: mín.: 0.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 10 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 4 ns
Alias de parte #: TSM2N7002AKDCU6
Peso unitario: 7,500 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.