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TSM250N02DCQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250N02DCQRFG
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

821-TSM250N02DCQRFG

Fabr. N.º:

TSM250N02DCQ RFG

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

MOSFET 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM250N02DCQ RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,722 €	0,72 €
	0,446 €	4,46 €
	0,289 €	28,90 €
	0,222 €	111,00 €
	0,20 €	200,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,171 €	513,00 €
	0,17 €	1.530,00 €
	0,154 €	3.696,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDFN-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	20 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	400 mV
Qg (carga de compuertas):	7.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	620 mW
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	7.6 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11.6 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4.1 ns
Alias de parte #:	TSM250N02DCQ
Peso unitario:	61,816 mg