TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 2.993

Existencias:
2.993 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 2993 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
8,86 € 8,86 €
6,17 € 61,70 €
4,74 € 474,00 €
4,57 € 4.570,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
4,03 € 12.090,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de establecimiento: 5 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Tiempo típico de retraso de apagado: 8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 5 ns
Alias de parte #: TSG65N190CR
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

SPICE Models

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

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