TSG65N110CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N110CERVG
TSG65N110CE RVG

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 9000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
7,59 € 68.310,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
110 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.8 ns
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de establecimiento: 5 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Tiempo típico de retraso de apagado: 2.9 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 1.5 ns
Alias de parte #: TSG65N110CE
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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