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BSS123W RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS123W RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS123W
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

821-BSS123W

Fabr. N.º:

BSS123W RFG

Fabr.:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

BSS123W RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,241 €	0,24 €
	0,144 €	1,44 €
	0,089 €	8,90 €
	0,065 €	32,50 €
	0,058 €	58,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,04 €	120,00 €
	0,035 €	210,00 €
	0,029 €	261,00 €
	0,028 €	672,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	160 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	298 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	51 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channe
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5 ns
Alias de parte #:	BSS123W
Peso unitario:	6 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.