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S34ML02G300TFI000

Name: SkyHigh Memory S34ML02G300TFI000
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 727-S34ML02G3TFI000
Price: 4.49 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

727-S34ML02G3TFI000

Fabr. N.º:

S34ML02G300TFI000

Fabr.:

SkyHigh Memory

Descripción:

Flash NAND 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Hoja de datos:

S34ML02G300TFI000 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 576

Fecha prevista: 12/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 22

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,49 €	4,49 €
	4,13 €	41,30 €
	4,01 €	100,25 €
	3,91 €	195,50 €
	3,82 €	366,72 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SkyHigh Memory
Categoría de producto:	Flash NAND
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSOP-I-48
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	256 M x 8
Tipo de temporización:	Asynchronous
Anchura de bus de datos:	8 bit
Tensión del suministro - Mín:	2.7 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Corriente de suministro (máx.):	35 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Lectura máx. de corriente activa:	35 mA
Marca:	SkyHigh Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NAND Flash
Cantidad del paquete de fábrica:	96
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.