DFA75BA80

SanRex
197-DFA75BA80
DFA75BA80

Fabr.:

Descripción:
Módulos de diodos Discrete Semiconductor Modules 800V 75A Bridge Rectifiers

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 11

Existencias:
11
Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
20
Fecha prevista: 31/08/2026
Plazo de producción de fábrica:
26
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
59,41 € 59,41 €
49,46 € 494,60 €
38,74 € 3.874,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
SanRex
Categoría de producto: Módulos de diodos
RoHS:  
Screw Mount
800 V
3-Phase Bridge
1.3 V
- 40 C
+ 150 C
DFA
Tray
Marca: SanRex
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Corriente de disparo de compuerta (Igt): 70 mA
Corriente de salida: 75 A
Tipo de producto: Diode Modules
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tecnología: Si
Nombre comercial: SanRex
Peso unitario: 150 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

DFA Series 800V & 1600V Diode Power Modules

SanRex DFA Series 800V and 1600V Diode Power Modules are isolated power modules designed for inrush protection at the positive DC terminal. These devices consist of six diodes connected in a three-phase bridge and a thyristor connected to a direct current line. These devices offer a thermally conductive but electrically isolated path to the outside circuit. This electrical isolation between the baseplate and the active semiconductors provides a key advantage over discrete components.