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STW77N65M5

Name: STMicroelectronics STW77N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW77N65M5
Price: 13.98 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW77N65M5

Fabr. N.º:

STW77N65M5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	69 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	200 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Pd (disipación de potencia):	400 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N

El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH ™ . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
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