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STW58N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW58N65DM2AG
Price: 10.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW58N65DM2AG

Fabr. N.º:

STW58N65DM2AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	48 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	65 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	88 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	360 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	31 ns
Serie:	STW58N65DM2AG
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	157 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns
Peso unitario:	6 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.