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STW35N60DM2

Name: STMicroelectronics STW35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW35N60DM2
Price: 4.72 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW35N60DM2

Fabr. N.º:

STW35N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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	4,72 €	4,72 €
	2,67 €	26,70 €
	2,10 €	210,00 €
	2,04 €	1.224,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	110 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	54 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	210 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Serie:	STW35N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	68 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21.2 ns
Peso unitario:	6 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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